DRAM

DRAM
        動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory , DRAM)，是一種半導體記憶體，主要作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二進位位元(bit)是1還是0。由於現實中電容會有漏電的現象，導致電位差不足而使記憶消失，因此除非電容經常性的充電，否則無法確保記憶長存。由於這種需要定時刷新的特性，因此被稱為 動態 記憶體，相對來說， 靜態 記憶體 SRAM只要存入資料後，縱使不刷新也不會遺失記憶。
        DRAM的記憶單元與SRAM相比，DRAM的優勢在於結構簡單——每一個位元的資料都只需一個電容跟一個電晶體來處理，相比之下在SRAM上一個位元通常需要六個電晶體。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有存取速度較慢，耗電量較大的缺點。
       與大部分的隨機存取記憶體（RAM）一樣，由於存在DRAM中的資料會在電力切斷以後立刻消失，因此它屬於一種揮發性記憶體（volatile memory）設備。